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　　什么是IGBT　　IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。　　图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannelregion）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Draininjector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。　　IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基...
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模块，电源模块，可控硅，IGBT－恒达万信
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中国IGBT器件市场分析报告-中国市场研究网
2008年9月2日...中国IGBT器件市场分析报告,中国市场研究谷歌2008-12-19 00:57:57
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Insulated-gate bipolar transistor - Wikipedia, the free encyclopedia
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今天修一台电磁炉,开盖检查发现保险管、滤波电容、IGBT管、百度2008-12-30 08:05:32
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请教IGBT和达林顿两个概念是什么？ 新e代电子网
特别是VDMOS管(垂直沟道MOS管,也可称功率场效应管)和IGBT(百度2008-12-12 03:42:30
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